技术编号:29353961
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及带电粒子束系统以及重合偏差量测定方法。背景技术.使用光刻处理及蚀刻处理,进行将形成于光掩模的图案转印到半导体晶圆上的工序,并重复该工序,由此,制造半导体器件。在半导体器件的制造工序中,光刻处理及蚀刻处理的好坏、以及异物的产生等对制造的半导体器件的成品率产生较大影响。因此,早期或事先检测制造工序中的异常、不良的产生尤为重要。因此,在半导体器件的制造工序中,进行形成于半导体晶圆上的图案的测量、检查。尤其是,因近年来半导体器件的微细化的进一步发展和三维化的进展,准确地执行不同的工序间的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。