技术编号:29353993
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及半导体技术领域,具体涉及一种沟槽的形成方法、半导体器件的制备方法及半导体器件。背景技术.碳化硅(sic)是新型宽禁带半导体材料,高热导率、高击穿场强、高饱和速度等优点,非常适合制作高温大功率半导体器件。碳化硅基功率器件能极大的发挥其高温、高频和低损耗的特点,使得其在高压、高温、高频、大功率、强辐射等方面都有极大的应用前景,其中包括沟槽金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,mosfet)、沟槽绝...
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