技术编号：2936606
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种铁电发射体。本发明尤其涉及一种在半导体光刻工艺中使用的铁电多层发射体。 背景技术 借助转换的铁电发射在电子发射光刻中允许一种简单的处理。在过去，通过在磁场中转换发射体已得到适合光刻的电子发射。然而，常规铁电发射体不能保证两个电极之间的间隙对于转换是太宽或太窄的电子发射。例如，在常规铁电发射体中，如果两个电极之间的间隙太宽，电场不能到达铁电发射体的中心部分。因此，在铁电区域不能发生转换效应。另一方面，如果两个电极之间的间隙，或掩模图形的间隙太窄...
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