技术编号：2938949
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本装置及方法大体而言是关于提供等离子体掺杂(plasma doping, PLAD) 应用中的轮廓调整解决方案以符合浓度及结深度(junction depth)要求。的更确切地说，所述的装置及方法是针对提供对元件縮放关键的垂直方向及横向上 的陡结。背景技术等离子体掺杂系统是已知的且用于在半导体晶圆中形成浅结且用于要求 具有相对低能量离子的高电流的其他应用。在等离子体掺杂系统中，半导体晶 圆置放在导电平台上，导电平台充当阴极且定位于等离子体掺杂反应室中。将 ...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。