技术编号:29403487
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种基于外延回填工艺的超级结器件对准标记保护方法背景技术.近年来国际上对节能减排越来越重视,这对大型电力电子设备的损耗控制和效率提升提出了更高的要求。作为电力电子设备的重要组成部分,半导体功率器件受到了业界的广泛关注。超级结器件能够突破普通器件的一维理论性能极限,在中高压领域具有很大的性能优势和应用潜力。.目前主流的超级结器件制造技术路线包括多次外延以及沟槽外延回填工艺。其中基于外延回填工艺的超级结器件具有元胞尺寸小成本低的优势。然而在沟槽外延回填以及抛...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。