技术编号：29439562
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。背景技术.光刻工艺是半导体集成电路制造中的关键工艺，用于将掩膜版上的图形转移到晶圆表面。然而，随着半导体器件的特征尺寸不断减小和集成度的不断提高，对光刻工艺的精密度的要求也随之提高。在半导体制造过程中，为了将掩膜版上的图形能准确的转移到晶圆表面，在每一次执行光刻胶的曝光之前，都必须做好晶圆的对准工作。.目前大多数利用对准标记进行光刻对准的方法是在半导体衬底内刻蚀形成零层标记凹槽，凹槽的底部与衬底的顶部表面具有一定的阶梯高度...
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