技术编号：2944083
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及发光器件，并且更特别地，涉及形成具有高显色指数(“CRI”)值的发光器件的方法以及涉及具有这样的高CRI值的发光器件。背景技术·发光二极管(“LEDs”)是能够产生光的公知的固态发光器件。LEDs通常包括多个半导体层，所述半导体层可以在半导体或非半导体衬底(诸如，例如，蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓或砷化镓衬底)上被外延地生长。在这些外延层中形成一个或多个半导体p-n结。当跨越所述p-n结施加足够的电压时，η型半导体层中的电子和P型半导体层中的空穴流...
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