技术编号：2944176
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种等离子体处理系统(plasma processing systems),尤其涉及一种改善及调节用于等离子体浸没离子植入(plasma immersionion implantation,PHI)的绝缘目标基板(insulating target substrates)的电压稱合的装置及方法。背景技术等离子体(plasmas)以多种方式使用于将各种掺杂物(dopants)植入晶圆(wafers)或基板(substrates)的半导体制程(sem...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。