技术编号：2944433
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例涉及半导体结构的离子布植领域。尤其涉及具有浸润式RF线圈及偏离式多尖端孔的等离子体流体枪(plasma flood gun,PFD),其用来产生且导引低能量等离子体接触离子束。背景技术离子布植是一种用于将杂质离子掺杂至基材(诸如半导体晶圆)中的程序。一般而言，离子束自离子源腔室被导向基材。多种进料气体被供应至离子源腔室，以得到用于形成具有特定掺质特性离子束的等离子体。举例来说，于离子源中由进料气体磷化氢(ΡΗ3)、三氟化硼(BF3)或砷化氢(A...
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