技术编号：2944970
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及纳米碳管电子场发射领域，是一种。该专利可用于需要高亮度电子源以及高分辨率的电子加工或者成像设备。如电子光刻、电子显微镜和电子衍射装置等等。特别是近场探测中，无附加电子透镜的聚焦方法可以消除电子源跟探测样品的之间距离的限制，从而减少电子束扩散，极大提高电子成像设备的分辨率。背景技术自从1991年纳米碳管被发现以来，由于所需偏压很低和具有很高的发射电流密度等特点，纳米碳管的电子场发射器件在全世界的范围内得到广泛的研究。在2000年后， 基于纳米碳管的...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。