技术编号：2946529
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于检测等离子体处理装置的异常放电的。背景技术在对半导体晶片(以下，称为晶片。)和基板等被处理体实施使用等离子的微细加工时，向进行等离子体处理的处理室内导入气体，施加高频电 力，通过将导入的气体分解而生成等离子体，使用该等离子体对被处理体进行等离子体处理。在生成由等离子体的处理室内，由于各种各样的原因，高频电场集中，有时产生电弧放电等异常放电。异常放电在被处理体的表面残留有放电痕迹，使配置于处理室内的构成部件烧损。另外，也成为使附着于处理室内的构...
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