技术编号：2946746
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制作领域，特别涉及一种。背景技术在半导体制造,特别是在MEMS(Micro Electro Mechanical Systems,微机电系统)和3D封装技术等领域，通常需要对硅等材料进行深通孔或深沟槽刻蚀。例如，在3D封装技术中，需要对娃衬底进行刻蚀形成深度达几百微米的深娃通孔(Through SiliconVia, TSV)，所述深硅通孔的深宽比远大于10。图广图3为现有技术的一种深沟槽或深通孔的刻蚀过程的剖面结构示意图。请参考图I，在所...
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