技术编号：2947236
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体装置；尤其涉及用以调整晶体管参数为一致的离子植入器及使用其的植入方法。背景技术 通常地，一晶体管形成方法包括数个步骤。首先，第一栅结构被形成于一基板上，且一栅间隔(spacer)被形成于栅结构的二侧壁上。其后，一用以调整一临界电压的离子植入过程被施加至置于栅结构与栅间隔底下的基板的预定区域且接着，用以形成源极/漏极的另一离子植入过程被施加。然而，此晶体管形成方法有一问题，晶体管未均匀地被形成于一晶圆的整个区域上。例如一掩模过程与一蚀刻过...
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