技术编号：2948087
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种，尤其涉及一种具有利用真空度的测量补偿由离子注入过程中的电荷转换所引起的剂量的变化的功能的离子注入装置的离子注入量控制。背景技术在半导体制造工艺中，为了改变电导率、改变晶片的晶体结构等目的，通常进行向半导体晶片内注入离子的工艺。用于该工艺的装置称为离子注入装置，其具有形成被离子源离子化之后加速的离子束的功能、及利用束扫描、晶片扫描或其组合来对半导体晶片的整个表面照射该离子束的功能。在半导体制造工艺中的离子注入工艺中，通常需要向晶片表面内均匀地...
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