技术编号：2948372
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及等离子体处理装置。背景技术在等离子体处理装置中，不仅将基板自身收容于腔室内进行处理，也通过利用能够搬运多个基板的托盘而实现分批处理。伴随基板或托盘的大型化，导致等离子体处理装置尤其是腔室大型化。若基板或托盘大型化，则向腔室内导入及排出的气体的流动或压力在基板或托盘上的分布产生偏差而出现不均化，在处理特性(例如蚀刻特性)方面分布不均。已知有如下作为使基板或托盘上的气体的流动或压力分布偏差消失的主要対策。第一对策是在腔室的载置基板或托盘的下部电极的正...
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