技术编号：2949554
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。等离子体反应器 本发明涉及等离子体反应器。所述装置可特别用于等离子体消除(abatement)系 统，用于处理从工艺室中排出的气体物流。 制造半导体设备的主要步骤是通过蒸气前体的化学反应在半导体基板上形成薄 膜。 一种已知的在基板上沉积薄膜的技术是化学气相沉积(CVD)。在这种技术中，将工艺气 体提供给安放基板的工艺室，并且反应而在基板表面上形成薄膜。提供给工艺室而形成薄 膜的气体的实例包括，但不局限于 硅烷和氨，用于形成氮化硅薄膜； 硅烷、氨和氧化...
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