技术编号：2950662
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本揭露内容大体而言有关于离子植入，且更特定而言，有关于离子植入机(ion implanter)中终端 Pft 离白勺技术(techniques for terminal insulation)。背景技术离子植入是用于将杂质引入到半导体晶圆内的标准技术。在离子植入工艺中，所 要杂质材料可在离子源中离子化，来自离子源的离子可经加速以形成指定能量的离子束， 且该离子束可在诸如半导体晶圆的工件的前表面上被导引。离子束中的高能离子可穿透到 半导体晶圆的块体部分内且可...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。