技术编号:29533215
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本实用新型涉及半导体领域,尤其涉及一种晶圆清洗装置。背景技术.沉浸式光刻是在纯净水下对光刻胶进行步进式-扫描式曝光,对晶圆水平度要求极高,但由于大量新材料的交替使用,使晶圆背部被颗粒污染的机会增加,这些颗粒夹在工作台与晶圆之间,导致晶圆表面局部凸起。现有的nm节点技术关键层的聚焦深度只有nm左右,而nm节点技术关键层的聚焦深度则只有nm左右,若凸起的高度超过曝光时的聚焦深度,则会形成坏点,造成焦散现象。通常散焦现象会导致光刻工艺中得到的光阻形貌异常且光阻值异常,从而进一步...
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