技术编号：2960611
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种，应用该装置可以显著地减小电子束的直径。公知的浸渍式阴极是把由钨粉形成的多孔钨基料用电子发射材料进行浸渍形成的。该阴极被放入高熔点金属制成的贮存槽中，并在其电子发射面上涂镀铂系金属元素。众所周知，与用碳酸盐制成的惯用氧化物阴极材料的阴极相比，这种阴极具有寿命长和质量高的优点。为了获得这种所需的阴极装置，通过进行冲压或压结制成多孔钨基料，然后用具有钡作为主要成分的电子发射材料对其进行浸渍，以使该电子发射材料渗入到多孔的空间中形成电子发射材料。在...
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