技术编号：29621144
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明属于半导体技术领域，更具体地，涉及一种纵向结构氮化镓功率晶体管的制备方法。背景技术.与横向结构晶体管相比，纵向结构功率晶体管主要由漂移层进行承压，因此可以通过增加漂移层的厚度来增加击穿电压，同时保持器件面积不变，增加晶圆利用率，提高器件功率密度。此外，将峰值电场从表面移到了器件内部，弱化电流崩塌效应，提高可靠性。.在多种纵向结构gan场效应晶体管结构中，由于凹槽mosfet可以通过p 型gan电流阻挡层降低关态耐压下的漏电，通过绝缘的氧化层减少栅极漏电，相比其他结构具有耐压能力好、...
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