技术编号：2965971
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般地涉及半导体制造，并特别涉及应用于半导体处理室的室衬。在半导体制造中，等离子蚀刻通常用于蚀刻电导体及绝缘材料。等离子蚀刻的一个问题是当许多晶片在室内处理时，经过一段时间，在处理室的壁上会生成薄膜。这种薄膜累积物可造成两个方面问题中的每一种。第一，薄膜可使壁面剥落并把颗粒掺入到室内。由于集成电路装置的器件尺寸继续减小，处理过程中允许该颗粒存在的程度急剧地下降。因此，处理期间避免出现颗粒变得更加重要了。第二，薄膜可改变射频接地路径并因此影响所获得的晶...
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