技术编号：2966352
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及离子源和具有离子源的离子注入器，更具体涉及用于产生在半导体制造工艺中掺杂半导体用的离子的离子源，以及涉及包括这种离子源的离子注入器。背景技术通常，通过用于在半导体衬底如硅晶片上形成电路的制造工艺、用于检查在衬底上形成的电路的电性能电子管芯挑选(EDS)工艺以及用于使用环氧树脂密封半导体器件的封装工艺来制造半导体器件。制造工艺通常分为用于在衬底上形成层的淀积工艺、用于平整化层的化学机械抛光(CMP)工艺、用于在层上形成光刻胶图形的光刻工艺、用于使用...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。