技术编号：2966530
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体工艺中用的半导体制造装置及半导体检查装置，特别是涉及高速且高精度的荷电粒子线应用装置。背景技术 作为在半导体衬底上形成LSI图形的主要工序之一，能举出通过将电子束照射在涂敷了感光性材料的晶片上，形成电路图形的电子束描绘。在该电子束描绘装置中，为了在真空中进行晶片的保持和矫正，而使用静电吸附装置。图1中示出了现有的电子束描绘装置中用的典型的静电吸附电极的剖面图。101是作为试样的半导体晶片(以下称晶片)，102是以氧化铝为主要材料的电介质，1...
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