技术编号：2966737
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及微电子器件，具体涉及一种具有横向场发射源且最好具有绝缘栅的真空沟道场效应微电子器件。本申请与以下专利有关1999年7月26日提交的美国临时申请60/145,570，1999年3月25日提交的美国专利申请09/276,198(现在的美国专利号6,004,830)和09/276,200，1999年12月13日提交的美国专利申请09/477,788和09/476,984。术语注释在说明书以及所附的权利要求书中，交替使用术语“横向发射器”或“横向场发射源...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。