技术编号：2967023
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及磁控管溅射，尤其涉及便于高效利用溅射靶的磁控管磁体设计。背景技术磁控管溅射、或磁力增强溅射涉及使用在真空室内提供在基片上形成汽相沉积的涂层材料的溅射靶。溅射过程中，溅射靶被供以负电位，在辉光放电系统中作为阴极。在磁控管溅射中，磁体产生在溅射靶表面上方的闭环磁力隧道(magnetic tunnel)形式的磁场。磁力隧道将电子限制在靶表面附近。所述的电子限制能够形成对于给定的处理压力有显著降低的点火和熄灭电压、对于给定的阴极电压有显著降低的点火和熄灭...
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