技术编号：2968250
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及阴极射线管，特别是涉及补偿由外部磁场引起的其内部的电子束偏移的技术。虽然是所谓的众所周知的事情，然而由于与本发明的宗旨有直接的关系，因此极简单地对其进行说明。在内部磁屏蔽体的内部的空间中，如果地磁漏泄并侵入到该内部空间，则电子束(或者电子线)受到侵入到内部的磁场产生的洛仑兹力f，在这里表示为f＝q(V×B)的影响。其结果，到达从原来的到达点沿着洛仑兹力的方向偏移的位置。另外，这里，f是加入到电子上的力，q(＜0)是电子的电荷量，V是电子的运动矢量...
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