技术编号：2970506
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种半导体器件，且特别涉及一种等离子体设备。 背景技术目前IC(集成电路)制造周期很长，从产品下线到出厂长达数十天，站别数百 步，流程非常复杂，其中也有很多步骤几乎是重复而成。总的来说，主要有以下步骤 光刻，刻蚀，离子注入，成膜等等。其中，对于刻蚀及成膜步骤，等离子体工艺的运用 非常广泛，尤其干法刻蚀方面。等离子体是除物质固、液、气态之外的第四态，由大量 的分子、原子、离子、电子和自由基等构成，呈近似电中性(正负电荷数目大体相等)， 由于等离...
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