技术编号：2972149
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属一种场发射阴极，特别涉及一种包含金属硅化物(如CoSi2、TiSi2、FeSi2、TaSi2、MoSi2、WSi2、NiSi2等)过渡层和金刚石薄膜，用于平板显示领域应用的平面场发射阴极及制作方法。背景技术 现有技术制作的金刚石膜平面场发射阴极是采用掺杂或非掺杂金刚石薄膜材料，以金属或单晶硅为衬底，在其上生长一层金刚石膜，并在衬底另一面设置测量电极，利用金刚石膜的宽禁带和电负性等优异的理化性能来制作场发射阴极，在外加电场的作用下，实现金刚石膜表面的...
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