技术编号:29792467
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及存储器技术领域,特别是关于磁性随机存储器及其写电路架构。背景技术.磁性随机存储器(magnetic random access memory,mram)mram在写操作时需要对mram施加由位线到源极线的电流,mtj写成p态(低电阻态);或者对mram加由源极线到位线的电流,mtj写成ap态(高电阻态)。由于这个写电流较大,需要时间长,一般ns-ns。mram读操作时,需要电流较小,时间短,一般ns-ns。所以减小mram的写电流和写时间十分不易。而且就现行mra...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术无源代码,用于学习原理,如您想要源代码请勿下载。