技术编号：2980017
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例是有关于用于形成半导体结构(semiconductor structure)的离子植入(ion implantation)领域。更明确而言，本发明是有关于一种用于在分级静电透镜(graded electrostatic lens)中控制带电粒子束(charged particle beam)的偏移的方法。背景技术离子植入器(ion implanter)在半导体制造中广泛使用以选择性地更改材料的导电性。在典型的离子植入器中，自离子源(ion s...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。