技术编号：2980180
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及基板处理装置以及聚焦环，特别涉及对载置台以及聚焦环的热传导效 率进行改善的基板处理装置。背景技术在对作为基板的晶片实施等离子体处理(例如蚀刻处理)的情况下，通过蚀刻而 在晶片表面形成的槽的宽度和深度受到晶片的温度的影响，因此要求在蚀刻处理中保持晶 片的整个表面的温度均勻。对晶片实施蚀刻处理的基板处理装置包括用于收纳晶片的能够被减压的腔室； 以及在蚀刻处理中用于载置晶片的载置台(以下称基座)，在被减压的腔室内产生等离子 体，由该产生的等离子体对晶片...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。