技术编号：29933520
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及单极性阻变存储器领域，尤其涉及基于硒化锌一维纳米结构的单极性阻变存储器的制备方法。背景技术.阻变存储器具备简易的结构和优异的存储性能，是下一代高密度存储器件的理想候选者。目前，阻变存储器在功耗控制、集成组装、柔性抗弯折等方面仍存在诸多关键问题亟待解决。.目前商用的存储器是基于场效应晶体管(fet)的三端浮栅型非易失性存储器。与之相比，阻变存储器具有两端结构、更低的操作电压、快速的读写速度、较低的制作成本、更低的功耗及较高的存储密度。在阻变存储器中，最常见的结构是金属-绝缘体-金...
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