技术编号：29947177
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种具有逆向导通能力的gan rc-hemt技术领域.本发明属于功率半导体技术领域，具体是指一种具有逆向导通能力的gan rc-hemt(high electron mobility transistor)器件。背景技术.gan hemt比si基功率mosfet开关速度更快，在相同耐压下电阻更小，并能承受更高的工作温度。由于hemt独特的横向对称结构，gan e-hemt虽然不具备和mosfet一样的pn体二极管，但是仍然可以利用横向的导电沟道反向传导电流，同时具备反向恢复损耗低的优势。然而...
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