技术编号：3003862
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及制造半导体器件的方法，其中该方法包括利用激光光束退火半导体膜的步骤。顺便提及，这里半导体器件表示能利用半导体特性运行的任何器件，并且还包括电光器件，如液晶显示器件或发光器件，和包括电光器件作为其一部分的电子设备。背景技术 近年来，广泛地研究了在形成在玻璃等材料绝缘衬底上的半导体膜上进行激光退火以使该膜结晶或改进其结晶性的技术。该半导体膜经常使用硅。与常规使用的合成石英玻璃衬底相比，玻璃衬底具有价格便宜和可操作性强的优点，并且容易制造大面积衬底。这...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。