技术编号:30057068
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。gan基双沟道hemt器件技术领域.本发明涉及一种hemt器件,具体涉及一种gan基双沟道hemt器件。背景技术.基于gan/algan异质结的高电子迁移率晶体管(hemt)有望替代传统硅基器件,实现高频高功率工作条件下的低能量损耗电力转换和信号传输,从而在高铁及新能源汽车功率控制单元、智能电网芯片,以及g用微波射频前端等领域中获得广泛应用。.常见的hemt器件主要有耗尽型(常开)和增强型(常关)两种类型。其中,耗尽型器件在v外加偏压状态时处于导通状态,而增强型器件则是v外加偏压时处...
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