技术编号：30102280
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。击穿电压可调节的scr型esd保护结构技术领域.本发明涉及半导体技术领域，尤其是一种击穿电压可调节的scr型esd保护结构。背景技术.现有技术中，使用最多的esd保护结构是pn结二极管、ggnmos、gdpmos、scr、npn等结构。其中ggnmos与gdpmos及其衍生的grnmos、gcnmos等是一种应用最广泛的esd保护结构，但是由于其器件面积大，鲁棒性较弱，特别是在高压应用时由于耐压不足需叠加使用，导致其面积过大使设计者很难接受；npn管做esd保护结构在芯片中也较为常见，但是由...
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