技术编号:30103049
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明属于碳化硅晶圆裂片技术领域,特别是涉及一种晶圆裂片移膜、切膜机构。背景技术.碳化硅晶圆经过激光隐切加工,激光束聚焦在晶圆内部,对焦点位置晶圆形成瞬间高温,在晶圆内部形成一系列纵横交错的破坏层,碳化硅晶圆硬度较高无法通过扩膜方式使晶圆裂开,需要适合设备沿晶圆切割道一条一条破开,芯片表面对碎屑敏感,裂片过程中在晶圆表面贴一层pe膜,防止裂片机构的劈刀和晶圆表面直接接触,也防止劈裂过程中产生的碎屑溅污染芯片。.在切膜时,要保证复合膜处于一个张紧的状态,并且要保证切割刀能够准确、稳定的对p...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。