技术编号:30132608
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。尾排结构和具有其的lpcvd设备技术领域.本实用新型涉及lpcvd(low pressure chemical vapor deposition,低压化学气相沉积)系统领域,特别涉及尾排结构和具有其的lpcvd设备。背景技术.lpcvd是指通过气体化学反应,在衬底(硅片、晶圆等)表面沉积一层薄膜。广泛用于沉积多晶硅、氧化硅、掺杂多晶硅、氮化物及氧化锌等,同时lpcvd 设备也可以制备遂穿氧化层(以下简称氧化层),该氧化层对光伏电池的光电转换效率影响非常大,是高效光伏电池的最关键结构之一。....
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