技术编号：3014958
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体加工技术，尤其涉及低温下进行的半导体加工。背景技术 在半导体加工领域，已经有几种用激光将薄非晶硅膜转变成多晶硅膜的试验。例如，在James Im等人的“用于集成有源矩阵液晶显示器的结晶硅膜”一文中，11 MSR Bullitin 39(1996年)，概述了传统受激准分子激光器的退火技术。在这样的系统中，受激准分子激光束整形为长形光束，通常长为30厘米，宽为500微米或更宽。该整形的光束在非晶体硅样本上进行扫描，使非晶硅熔化，在样本再凝固时形...
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