技术编号:30149621
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本实用新型涉及一种功率半导体结构,尤其是一种高可靠性的超结功率半导体结构。背景技术.超结金属氧化物半导体场效应晶体管(简称sj mosfet)是一类具有超结耐压层的重要器件,sj mosfet将pn结引入到常规“电阻型”耐压层中,使之质变为“结型耐压层”,这种质变突破传统功率器件比导通电阻和耐压之间的“硅极限”关系,超结器件也因此被誉为功率半导体器件的“里程碑”。.虽然n柱与p柱间隔设置形成的“结型耐压层”能够大幅降低比导通电阻,但是这对终端保护区的设计带来了挑战,传统功率mosfet可...
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