技术编号:30149622
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本实用新型涉及一种功率半导体结构,具体地说是一种快恢复平面栅超结功率器件。背景技术.超结金属氧化物半导体场效应晶体管(简称sj mosfet)固有一个与其并联的寄生二极管,寄生二极管的阳极与sj mosfet的源极相连,阴极与sj mosfet的漏极相连,因此sj mosfet也用来续流。这种寄生二极管与普通二极管一样,由少子参与导电,因此有反向恢复时间,与反向恢复损耗。.由于肖特基二极管具有较低的正向二极管电压降等优势,常常用以改善器件开关动作的二极管恢复时间,可抑制器件运行时非开关部...
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