技术编号:30178201
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明一般涉及相变存储器,更具体地,涉及实现降低的最小电导状态的存储器器件。背景技术.大学和工业研究一直在研究新材料和方法以增加半导体器件中的存储密度,同时降低每个存储信息的功耗。在此上下文中,对于多电平数据存储以及对于存储器内和神经形态计算硬件,可以在多个电导状态之间反向切换的诸如相变存储器和导电桥忆阻器的电阻式存储器器件变得越来越流行。.对于实现多电平、效率、漂移和噪声存在几个关键挑战。单元效率方面解决了以非常低的电流/功率消耗在各种电平下对器件进行编程和读取的能力。漂移和噪声方面解...
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