技术编号：30184090
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及半导体技术领域，更具体地，涉及非易失性存储装置的编程操作方法、非易失性存储装置、非易失性存储系统。背景技术.非易失性存储系统能够在断电后仍保留存储于其中的数据，并且广泛应用于计算机、蜂窝电话、智能手机、个人数字助理及其它电子设备系统。非易失性存储系统通常包括作为存储介质的非易失性存储装置和用于控制非易失性存储装置的控制装置。非易失性存储装置进一步地包括由多个存储单元而形成的阵列。.存储单元的结构从沟道层到栅极通常包括隧穿层、电荷捕获层以及电荷阻挡层。在对存储单元执行编程操作(数...
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