技术编号：30185716
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开内容的实施方式大体涉及半导体装置，更特定言之涉及水平环绕式栅极装置结构和形成水平环绕式栅极装置结构的方法和设备。背景技术晶体管是大多数集成电路的关键部件。由于晶体管的驱动电流以及因此速度与晶体管的栅极宽度成正比，因此较快的晶体管通常需要较大的栅极宽度。因此，晶体管的大小和速度之间存在有妥协，且已经开发出“鳍式”场效应晶体管(finFET)来解决晶体管具有最大驱动电流和最小尺寸的矛盾目标。finFET的特点是在不显著增加晶体管的占地面积的情况下，通过鳍片形沟道区域大大增加了晶体管的尺寸，目前...
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