技术编号:30231553
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及晶片冷却技术领域,具体而言,涉及一种外延炉晶片冷却系统、方法、电子设备及存储介质。背景技术.碳化硅外延生长工艺通常在℃的反应腔中进行,外延生长工艺完成后,反应腔内通入冷却气体以对晶片进行初步冷却,当晶片的温度冷却至低于℃时,机械手会将晶片从反应腔中取出并将晶片和底座传送到预抽真空腔。预抽真空腔对晶片进行二次冷却,只有当晶片的温度冷却至常温时,才会将晶片从预抽真空腔中取出以进行晶片测试,并放置新的晶片到预抽真空腔中,机械手将新的晶片从预抽真空腔中取出并将晶片和底座传送...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。