技术编号:30235584
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。用于euv光刻的底层.发明背景.相关申请.本申请要求年月日提交的发明名称为“用于euv光刻的底层”的美国临时专利申请系列号/,的优先权,其通过引用全文纳入本文。发明领域.本发明总体上涉及使用euv(极紫外)光刻技术来制造微电子结构的方法。.相关领域描述.随着半导体工业继续遵循摩尔定律,不断减小特征尺寸的需求要求使用更薄的膜来防止图案塌陷(pattern collapse)。更薄的膜会需要使用硬掩膜将图案转印到基板上。极紫外(“euv”)曝光有望成为单次曝...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。