技术编号：3049524
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于纳米光电子材料及器件，具体涉及利用紫外激光干涉灼蚀方法在有机半导体薄膜上直接写出周期可控的ー維和ニ维有机半导体激光器。背景技术光泵浦有机半导体激光器对于新的激光光源和未来电泵浦有机半导体激光器的实现都有着重要的意义。而分布反馈式结构是实现光泵浦有机半导体激光器的最佳结构。目前，关于分布反馈式结构的制作方法基本上基于紫外光浮離、纳米压印、电子束刻蚀、反应离子束刻蚀技术等。然而，这些制作方法存在エ艺过程复杂、制备设备昂贵、效率低、成本高等问题，极大地...
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