技术编号:30495921
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本公开涉及半导体技术领域,具体地,涉及一种快恢复二极管及其制备方法。背景技术.为了提高快恢复二极管的关断软度,目前的局域寿命控制方式多采用高能氦注入或者氢注入的方式来实现,然而氦注入或氢注入所使用的离子注入机制造困难且价格昂贵,从而使工艺门槛和价格成本大大上升。发明内容.本公开的目的是提供一种快恢复二极管及其制备方法,能够大大降低工艺门槛和价格成本,而且还能够形成更有效的局域寿命控制,提升快恢复二极管的关断软度性能。.根据本公开的第一实施例,提供一种快恢复二极管,包括:第一导电类型半导...
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