技术编号：30527724
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种mems器件的应力缓冲封装结构技术领域.本发明涉及芯片封装技术领域，更具体地说，它涉及一种mems器件的应力缓冲封装结构。背景技术.mems器件中诸如陀螺仪、加速度计、谐振器等对机械应力非常敏感，原因是应力可以改变mems敏感结构的刚度以及谐振频率，使得敏感结构与外界应力或热应力之间形成我们不期望的耦合作用，因而如何降低mems器件本身的内部应力并降低外界应力对mems器件的影响是提高mems器件性能的关键。.封装应力主要来源于mems芯片与封装材料之间因热膨胀系数不匹配而产生的热应力...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。