技术编号:30595641
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及氮化镓功率半导体器件,尤其是一种高阻断电压的氮化镓肖特基势垒二极管及制备方法,属于电力电子器件技术领域。背景技术.作为第三代半导体典型代表的氮化镓材料具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优点,氮化镓肖特基势垒二极管(sbd)因其高阻断电压、高开关速度、低功耗等优点在g移动通信、半导体照明、消费电子等领域具有广阔的应用前景。.现行技术中的氮化镓肖特基势垒二极管主要采用基于gan体材料的垂直型sbd 和基于algan/gan 等异质结二维电子气...
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